第三代半导体材料行业背景
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用,是各国争相发展的重点领域。第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性,不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求,还可以降低50%以上的能量损失,最高可使装备体积减小近75%,在半导体材料领域具有里程碑意义。 随着宽禁带技术的进步,材料工艺与器件工艺的逐步成熟,在一些高端应用领域,正在逐步取代第一代、第二代半导体材料,建立了衬底、外延、器件以及应用等完整的产业链。除了美国、欧洲、日本等高科技企业在技术上的强力推进,国内也有数十家科技企业投入大量资金布局第三代半导体业务。在大规模商用上,较高的技术门槛和成本依然是第三代宽禁带半导体发展的瓶颈。

当前整个电源产业正发生着深刻的变革,以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)为代表的宽禁带半导体技术已经在众多行业中得到了广泛的应用,也给电源的开发测试工作带来了众多的挑战。 泰克科技始终密切跟踪最新技术的进展,通过和业内领军企业的密切合作来开发针对性的测试方案。基于其性能一枝独秀的光隔离探头以及示波器等产品,泰克为广大电源工程师们提供卓越的完整测试解决方案。
碳化硅功率器件将推动下一轮电力电子行业革命
  • 更高的效率,更高的功率密度
  • 服务器电源 节省5%以上的能源
  • 不间断电源 节省5%以上的能源,节约25%的空间
  • 风能变换器 损耗减少50%
  • 电力机车 减重5%
  • 航空电源系统 减重500KG
  • 太阳能逆变器 损耗减少50%
不断延伸的新应用
  • 船舶配电 变压器重量缩小为十分之一
  • 中压/高压应用 于硅器件相比,所运用器件数量为三分之一
  • 高端医疗 更好的图像质量,更小的占地面积
  • 油气开采 适合高温恶劣环境
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研发过程中的测试难点
传统测试工具,测试结果会让研发人员困扰,无法判断真实的信号波形是因测试问题导致,还是器件或系统本身的问题。
GaN 应用于PD快充,OBC,上管Vgs无法测试,不测试会导致烧板子,炸管,产品有安全隐患
SiC多用于新能源逆变器、轨道交通、电驱动等大功率器件的应用,半桥及全桥电路上管无法准确测量,不测试会导致烧板子,炸管,产品有安全隐患,会导致牺牲SiC的优异性能来保证产品安全要求。
泰克提供的方案如何解决测试难点
泰克推出第二代IsoVu隔离示波器探头
推动第三代半导体发展,为电源行业带来技术革新
新的Tektronix IsoVu™Generation 2探头提供了无与伦比的带宽、动态范围、共模抑制以及多功能MMCX连接器的组合,为上管Vgs测量设置了新的标准,设计者终于能看到以前隐藏的信号特征。
1 GHz 光隔离探头
更小的尺寸提升了DUT连接的便携性
行业领先的的CMRR特性
完全光隔离技术
完整测试系统
比第一代探头体积缩小80%
IsoVu 光隔离探头
发现非隔离探头隐藏的快速震荡的信号。IsoVu™ 探头技术实际上通过光学隔 离消除了共模干扰。这样就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基准电压上提供 精确的差分测量。借助我们的 IsoVu Generation 2 设计,您能获得 IsoVu 技术的所有优势, 但大小仅为原来探头尺寸的 1/5。IsoVu Gen 2 探头凭借多功能 MMCX 连接器以及无与伦比的带宽、 动态范围和共模抑制组合,为隔离探头技术设定新的标准。停止猜测,将Vgs真实呈现!