PA DC/DC

• WD10721

  产品特性： • 小封装BUCK    • 通用性高    • SOT563    • PFM MODE    • 2A buck

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• WD31089

  产品特性： • 轻载高效    • 理想的瞬态响应    • 70uA静态电流    • 12V 7A boost   

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LDO

• WL2868C

  产品特性： • DVDD支持1.2A    • 96db@1khz    • 7路LDO PMIC    • 节省布板面积   

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• WL2834C

  产品特性： • CSP-6   • 输出电流1A   • CSP小封装   • DVDD大电流供电

  产品规格书

• WL2863D

  产品特性： • DFN1X1   • 100dB@1KHZ   • 高PSRR LDO   • 小封装节省布板面积

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• WL2848D

  产品特性： • 高精度、低噪声、高PSRR    • 最大输出电流: 300mA    • 静态电流: 58μA Typ;    • 关机电流: <1μA    • Dropout电压: 149mV @ Iout=0.3A    • PSRR: 74dB @ 1KHz, 58dB @ 1MHz, VOUT=2.8V    • 低输出电压噪声: 15xVOUTμVrms   

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TVS

• ESD5431N

  产品特性： • Stand-off voltage: ±3.3V • Max. Capacitance: CJ = 17.5pF typ. • Low leakage current: IR = 1nA typ. • Low clamping voltage: VCL = 8V typ. @ IPP = 16A (TLP) • 应用场合：低速I/Ox信号线

  产品规格书

• ESD5451N

  产品特性： •截止电压VRWM： 5 V    •漏 电 流 IR ： 0.1uA    •钳位电压Vc: 10V    •峰值电流 Ipp ： 8A    •结电容 Cj : 17.5pF    •封装类型 ： DFN1006-2L    •低速I/O信号线

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TVS

• ESD56281N04

  产品特性： •截止电压VRWM： 4.85 V    •漏 电 流 IR ： 0.1 uA    •钳位电压Vc: 8.2 V    ••峰值电流 Ipp ： 42A    •封装类型 ： DFN1006-2L    •应用场合：手机Vbus端口   

  产品规格书

• ESD56351CN05

  产品特性： • 截止电压VRWM： 5.0 V    • 漏 电 流 IR ： 1 uA    • 钳位电压Vc: 9 V    • 峰值电流 Ipp ： 100 A    • 封装类型 ： DWN1006-2L    • 应用场合：手机Vbat端口

  产品规格书

• ESD56201D04

  产品特性： • 截止电压VRWM： 4.85 V    • 漏 电 流 IR ： 5uA    • 钳位电压Vc: 10.5 V    • 峰值电流 Ipp ： 120A    • 封装类型 ： DFN1610-2L    • 应用场合：手机Vbat端口

  产品规格书

• ESD56301D04

  产品特性： 截止电压VRWM： 4.85 V    漏 电 流 IR ： 1uA    钳位电压Vc: 11 V    峰值电流 Ipp ： 180A    封装类型 ： DFN1610-2L    应用场合：手机Vbat端口   

  产品规格书

TVS

• ESD56241D15/18/22

  产品特性： • 截止电压VRWM ：15/18/22V    • 漏 电 流 IR ：1uA    • 钳位电压Vc: 26/31/35V    • 峰值电流 Ipp ：160/150/130A    • 封装类型 ： DFN2020-3L    • 应用场合：手机Vbus端口

  产品规格书

• ESD56161D24

  产品特性： • 截止电压VRWM： 24 V    • 漏 电 流 IR ： 1 uA    • 钳位电压Vc: 27.5 V    • 峰值电流 Ipp ： 170 A    • 封装类型 ： DFN2020-3L    • 应用场合：手机Vbus端口

  产品规格书

• ESD56161D30

  产品特性： • 截止电压VRWM： 30 V    • 漏 电 流 IR ： 1 uA    • 钳位电压Vc: 31 V    • 峰值电流 Ipp ： 175 A    • 封装类型 ： DFN2020-3L    • 应用场合：手机Vbus端口

  产品规格书

• ESD63091CN

  产品特性： • 单路双向保护；   • 高耐压值；   • 低钳位电压；   • 低结电容值；   • 封装DWN1006;    • 高速信号线防护;    • VRWM=15V;    • IPP=14A;    • VC=20V;    • VESD=30KV;    • CJ=1.1PF; • 应用场合：手机D+D-信号线

  产品规格书

• ESD53101N

  产品特性： • 截止电压VRWM： 5 V    • 漏 电 流 IR ： 0.1uA    • 钳位电压Vc: 10 V    • 峰值电流 Ipp ： 10A    • 结电容 Cj : 1.1pF    • 封装类型 ： DFN1006-2L    • 应用场合：手机D+D-信号线

  产品规格书

• ESD73031N

  产品特性： • 截止电压VRWM： 5 V    • 漏 电 流 IR ： 0.05uA    • 钳位电压Vc: 9 V    • 峰值电流 Ipp ： 11A    • 结电容 Cj : 0.8pF    • 封装类型 ： DFN1006-2L    • 应用场合：手机D+D-信号线

  产品规格书

• ESD73411Z

  产品特性： • 截止电压VRWM： 1.5 V    • 漏 电 流 IR ： 1u A    • 触发电压 Vtr : 4 V    • 钳位电压Vc: 3 V    • 峰值电流 Ipp ： 4.5 A    • 结电容 Cj : 0.3 pF    • 封装类型 ： DFN0603-2L    • 用于手机TXRX信号线

  产品规格书

• ESD73311CZ

  产品特性： • 截止电压VRWM： 3.3 V    • 漏 电 流 IR ： 0.1uA    • 钳位电压Vc: 5.5 V    • 峰值电流 Ipp ： 20A    • 结电容 Cj : 0.4pF    • 封装类型 ： DWN0603-2L    • 用于手机TXRX信号线

  产品规格书

• ESD56281N06

  产品特性： • 截止电压VRWM： 6.3 V    • 漏 电 流 IR ： 0.1uA    • 钳位电压Vc: 9 V    • 峰值电流 Ipp ： 35A    • 结电容 Cj : 90pF    • 封装类型 ： DFN1006-2L    • 手机CC/SBU信号线

  产品规格书

• ESD56371N

  产品特性： • 截止电压VRWM： 15 V    • 漏 电 流 IR ： 0.05uA    • 钳位电压Vc: 19.5V    • 峰值电流 Ipp ： 22A    • 结电容 Cj : 31pF    • 封装类型 ： DFN1006-2L    • 手机CC/SBU信号线

  产品规格书

OVP/OCP

• WNM3602A

  产品特性： SingleN-Channel, 30V,20.8A,Power MOSFET, 7.3 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

• WNM3061

  产品特性： Single N-Channel, 30V , 96A ,Power MOSFET, 3.6 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

• WNM3065

  产品特性： Sin gle N-Channel, 30V , 220A ,Power MOSFET, 1.8 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

• WS3240C

  产品特性： • 输入端具有28V高耐压   • 在 2.8V 到 23V 的输入电压范围内运行   • 支持 5A 的最大连续电流   • 内置的100v 浪涌保护   • 15mΩ的低内阻可有效减少线路损耗   • 一款带集成超低导通单沟道开关的 OVP   • 兼容原有CSP-12焊盘产品，可实现快速替换迭代

  产品规格书

• WS4694C

  产品特性： • 输入电压范围2.6v~5.5v，输出端耐高压：28v    • 2.3A最大过流能力，0.05~2A可调限流范围    • 具备TRCB功能以及SCP保护功能   • CSP-9，0.4pitch小型化封装   

  产品规格书

• WS4695C

  产品特性： • 输入电压范围2.6v~5.5v，输出端耐高压：28v    • 4A最大过流能力，0.1~3.5A可调限流范围    • 具备TRCB功能以及SCP保护功能   • CSP-12，0.4pitch小型化封装  

  产品规格书

Battery Protection MOSFET

• WNMD2188

  产品特性： Dual N-Channel, 12V, 13.7A, Power MOSFET, 2.95 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

• WNMD2196A

  产品特性： Dual N-Channel, 12V, 19A, Power MOSFET, 1.5 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

MOSFET

• WNM2046E

  产品特性： Single N-Channel, 20V, 0.8A, Power MOSFET, 500 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

• WNM2101

  产品特性： Single N-Channel, 20V, 0.8A, Power MOSFET, 120 mΩ@VGS=4.5V

  产品规格书

LTE LNA

• WS7932DE

  产品特性： • Gain 18dB    • NF 0.8dB    • IP1dB -10dBm    • IIP3 1dBm    • 18dB增益可明显改善接收灵敏度

  产品规格书

RF Switch

• WS7822LE

  产品特性： • IL 0.7dB@6GHz    • ISO 15dB@6GHz    • Pinmax 40dBm    • HD2 -57@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -50@915MHz, Pin35dBm    • 支持6GHz频段，支持1.8V/2.8V供电

  产品规格书

• WS7804LMA

  产品特性： • IL 0.7dB@6GHz    • ISO 15dB@6GHz    • Pinmax 40dBm    • HD2 -57dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -50dBm@915MHz, Pin35dBm    • 5G通用物料，高频性能更有优势   

  产品规格书

• WS7872DE

  产品特性： • IL 0.75dB@7.125GHz    • ISO 15dB@7.125GHz    • Pinmax 32dBm    • HD2 -64dBm@915MHz, Pin25dBm    • HD3 -52dBm@915MHz, Pin25dBm    • 开关切换时间快，支持WIFI6E频段

  产品规格书

• WS7802LA

  产品特性： • IL 0.45dB@6GHz    • • ISO 22dB@6GHz    • Pinmax 42dBm    • HD2 -60dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -60dBm@915MHz, Pin35dBm    •高功率、高ESD性能、支持1.8/2.8V供电

  产品规格书

• WS7824LMB

  产品特性： • IL 1.00dB@5GHz    • ISO 25dB@5GHz    • Pinmax 40dBm    • HD2 -65dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -55dBm@915MHz, Pin35dBm    • 低插损、高隔离

  产品规格书

• WS7804LMB

  产品特性： • IL 0.70dB@6GHz    • ISO 40dB@6GHz    • Pinmax 34dBm    • HD2 -60dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -60dBm@915MHz, Pin35dBm    • 超高隔离度、物料稀缺

  产品规格书

RF Tuner

• WS7844QA

  产品特性： • Ron 1.2Ω    • Coff 155fF    • Vpeak 45V    • HD2 -66dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -60dBm@915MHz, Pin35dBm    • 支持5G频段、支持8种模式

  产品规格书

• WS77441L

  产品特性： • Ron 1.1Ω    • Coff 140fF    • Vpeak 45V    • HD2 -70dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -65dBm@915MHz, Pin35dBm    • 支持shunt功能、高ESD性能   

  产品规格书

• WS77481L

  产品特性： • Ron 1.0Ω    • Coff 190fF    • Vpeak 55V    • HD2 -68dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -77dBm@915MHz, Pin35dBm    • 高耐压、支持5G频段、高ESD性能

  产品规格书

• WS77881L

  产品特性： • Ron 2.1Ω    • Coff 210fF    • Vpeak 80V    • HD2 -86dBm@915MHz, Pin35dBm    • HD3 -75dBm@915MHz, Pin35dBm    高耐压、支持5G频段、高ESD性能

  产品规格书

GPS LNA

• WS7916DE

  产品特性： • Gain 19dB    • NF 0.55dB    • IP1dB -11dBm    • IIP3 -1dBm    • 支持L1/L5频段，支持1.8V/2.8V供电

  产品规格书

• WS79191D

  产品特性： • Gain 17.5dB    • NF 0.75dB    • IP1dB -9dBm    • IIP3 3dBm    • 支持L1/L5频段，支持1.8V/2.8V供电

  产品规格书

USB Switch

• WAS4780

  产品特性： • 高耐压    • 高数据带宽    • 低失真、低串扰    • 小尺寸    • USB Switch带宽：950MHz    • AUDIO Switch THD+N:-110dB    • 接口侧引脚耐压 20V    • 支持OMTP/CTIA 耳机检测

  产品规格书

• WAS7227Q

  产品特性： • USB H-speed DPDT switch    • 支持2.5v-5.5v供电范围    • -3dB带宽550MHz@Cl=5pf    • 低静态功耗：Icc_max=1uA   

  产品规格书

• WUSB3801Q

  产品特性： • Typec CC logic识别    • 支持 GPIO & I2C 两种控制模式    • CC&Vbusd 耐高压（25v）    • 支持SRC/SNK/DRP power mode    • 支持deadbattery模式   

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MIPI Switch

• WAS4646C

  产品特性： • 2:1 MIPI 开关，支持Dphy（4data lane） & Cphy（3data lane）两种模式    • -3dB 带宽 3GHz（典型值）    • LP & HS MIPI △Ron 0.1Ω & 0.5Ω Ron_flat    • 低静态功耗：Icc 40ua_max    • CSP-36小型化封装   

  产品规格书

• WAS4642Q

  产品特性： • 2:1 MIPI 开关，支持Dphy（2data lane)    • -3dB 带宽 2.5Hz（典型值)    • QFN2534封装，低像素camera/低分辨率屏幕切换   

  产品规格书

Load Switch

• WS4632C

  产品特性： • 输入电压范围支持1.1~5.5v    • 28mΩ典型导通阻抗，2A过流能力    • 超低静态电流：100nA（典型值）    • 低静态功耗：Icc 40ua_max    • CSP-4，0.4pitch小型化封装   

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